【5月・科技资讯】用于半导体的导电 Ni-P 微粒电镀技术
Proterial Metals, Ltd. （Proterial, Ltd.旗下全资子公司，以下简称 Proterial Metals）
开发了用于在连接半导体芯片与基板的导电Ni-P（镍磷）微粒上进行电镀银（Ag）、铜（Cu）、低熔点焊料等的技术，并将其扩充至产品系列中。
电镀Ni-P微粒保持了现有产品的耐热性，还实现了低电阻化，有助于提高半导体性能并降低功耗。
// 背景 //
因智能手机和平板电脑对于AI需求的旺盛，计算性能在不断增强的同时，对电路中信号传输的速度和容量的要求也在提高。
为了满足半导体芯片和元器件对于更低的电阻和更高的耐热性的需要，会使用越来越精细的加工技术来形成更大规模的电路。
在这过程中，为了防止良品率下降，一种被称为"芯粒"的技术备受关注，这种技术是先制造小型半导体芯片，然后将其集成到大型电路中。
这种芯片集成技术需要芯片与芯片、芯片与基板之间的连接。因此，新的封装接合材料成为了其中的关键，以降低连接部分的电阻。
Proterial Metals开发了各种材料的电镀技术，使具有耐热等优异特性的导电 Ni-P 微粒也拥有了低电阻特性，并将其用于新型封装接合材料。
// 概述 //
由Proterial Metals开发并生产的导电Ni-P微粒键合材料，其粒径为1-30um，具有耐热性、粒度均匀、高球形度和高硬度等特点。
过去，公司亦有镀金（Au）产品可满足高耐腐蚀性的需求，但在低电阻化上没有优势。因此，Proterial Metals开发了新的电镀技术，可以使用金元素以外的材料进行电镀。
通过该技术，可以在导电Ni-P微粒上电镀低阻值的银（Ag），铜（Cu）。与镀金Ni-P微粒相比，镀银Ni-P微粒的体积电阻率约为 1/5，镀铜Ni-P微粒的体积电阻率约为 1/9，可应对电路中更高速、更大容量的信号传输。
此外，还可以使用低熔点焊料电镀，通过焊接扩大接触面积以及金属接合降低电阻。
焊料/Sn-Bi电镀品的扫描电子
显微镜（SEM）照片
这些电镀品保持了现有 Ni-P 微粒的特点，如耐热性、粒度均匀和高球形度等。在连接表面的平整度和适度的间距形成等指标上也具备相同水平。
此外，由于内部 Ni-P 微粒硬度高，可用于硅基板和玻璃基板等半导体芯片的接合（封装）。
Proterial Metals将利用电镀Ni-P粒子的这些特性，为半导体和相关产品实现高性能并低功耗做出贡献。
// 专利 //
申请了4项电镀技术专利
// 生产 //
Proterial Metals 鹿儿岛工厂
电镀Ni-P微粒照片
中间：无电镀，左：镀银，上：镀金，下：镀铜，右：镀焊料
导电Ni-P微粒的镀Ag前后的粒度分布
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